itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IPI50CN10NGHKSA1
Gyártási szám | IPI50CN10NGHKSA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IPI50CN10NGHKSA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
IPI50CN10NGHKSA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1090pF @ 50V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 44W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TO262-3 |
Csomag / eset | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI50CN10NGHKSA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IPI50CN10NGHKSA1-FT |
BSB017N03LX3 G
Infineon Technologies
BSB019N03LX G
Infineon Technologies
BSB024N03LX G
Infineon Technologies
BSB044N08NN3GXUMA1
Infineon Technologies
BSB053N03LP G
Infineon Technologies
BSB104N08NP3GXUSA1
Infineon Technologies
BSB165N15NZ3GXUMA1
Infineon Technologies
BSB280N15NZ3GXUMA1
Infineon Technologies
BSF024N03LT3GXUMA1
Infineon Technologies
BSF030NE2LQXUMA1
Infineon Technologies
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel