itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IPI08CN10N G
Gyártási szám | IPI08CN10N G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IPI08CN10N G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
IPI08CN10N G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 95A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 95A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 130µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 6660pF @ 50V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 167W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TO262-3 |
Csomag / eset | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI08CN10N G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IPI08CN10N G-FT |
IPW65R190C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R190CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R190E6FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R280C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R280E6FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R310CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R420CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R660CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW90R120C3FKSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel