itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IPI041N12N3GAKSA1
Gyártási szám | IPI041N12N3GAKSA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IPI041N12N3GAKSA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
IPI041N12N3GAKSA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 120V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 211nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 13800pF @ 60V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 300W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TO262-3 |
Csomag / eset | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI041N12N3GAKSA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IPI041N12N3GAKSA1-FT |
IPW60R070C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R075CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R099C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R199CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW60R250CP
Infineon Technologies
IPW60R280E6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R299CPFKSA1
Infineon Technologies