itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IPD65R650CEAUMA1
Gyártási szám | IPD65R650CEAUMA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IPD65R650CEAUMA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | CoolMOS™ CE |
IPD65R650CEAUMA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 2.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 86W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TO252-3 |
Csomag / eset | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD65R650CEAUMA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IPD65R650CEAUMA1-FT |
IPD40N03S4L08ATMA1
Infineon Technologies
IPD49CN10N G
Infineon Technologies
IPD50N03S207ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N03S2L06ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N03S4L06ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N04S308ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N04S309ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N06S214ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N06S214ATMA2
Infineon Technologies
IPD50N06S2L13ATMA1
Infineon Technologies
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel