itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IPD60R1K4C6ATMA1
Gyártási szám | IPD60R1K4C6ATMA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IPD60R1K4C6ATMA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | CoolMOS™ C6 |
IPD60R1K4C6ATMA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 28.4W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TO252-3 |
Csomag / eset | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD60R1K4C6ATMA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IPD60R1K4C6ATMA1-FT |
IPD122N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD122N10N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD127N06LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD12CN10NGATMA1
Infineon Technologies
IPD12CN10NGBUMA1
Infineon Technologies
IPD12CNE8N G
Infineon Technologies
IPD12N03LB G
Infineon Technologies
IPD135N03LGXT
Infineon Technologies
IPD135N08N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD13N03LA G
Infineon Technologies
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel