itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IPD530N15N3GBTMA1
Gyártási szám | IPD530N15N3GBTMA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IPD530N15N3GBTMA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
IPD530N15N3GBTMA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 35µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 887pF @ 75V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 68W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TO252-3 |
Csomag / eset | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD530N15N3GBTMA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IPD530N15N3GBTMA1-FT |
IPD100N06S403ATMA2
Infineon Technologies
IPD105N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPD105N04LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD10N03LA
Infineon Technologies
IPD10N03LA G
Infineon Technologies
IPD110N12N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD110N12N3GBUMA1
Infineon Technologies
IPD122N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD122N10N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD127N06LGBTMA1
Infineon Technologies
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel