itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IPD50R1K4CEBTMA1
Gyártási szám | IPD50R1K4CEBTMA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IPD50R1K4CEBTMA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | CoolMOS™ CE |
IPD50R1K4CEBTMA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 3.1A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 900mA, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 70µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 1nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 178pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 25W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TO252-3 |
Csomag / eset | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD50R1K4CEBTMA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IPD50R1K4CEBTMA1-FT |
IPD053N06N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD053N06NATMA1
Infineon Technologies
IPD053N08N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD05N03LA G
Infineon Technologies
IPD05N03LB G
Infineon Technologies
IPD060N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPD060N03LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD068N10N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD068P03L3GATMA1
Infineon Technologies
IPD068P03L3GBTMA1
Infineon Technologies