itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IPD50N06S4L12ATMA1
Gyártási szám | IPD50N06S4L12ATMA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IPD50N06S4L12ATMA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
IPD50N06S4L12ATMA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Discontinued at Future Semiconductor |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 20µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2890pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 50W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TO252-3-11 |
Csomag / eset | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD50N06S4L12ATMA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IPD50N06S4L12ATMA1-FT |
IPD04N03LA G
Infineon Technologies
IPD04N03LB G
Infineon Technologies
IPD050N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPD050N03LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD053N06N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD053N06NATMA1
Infineon Technologies
IPD053N08N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD05N03LA G
Infineon Technologies
IPD05N03LB G
Infineon Technologies
IPD060N03LGATMA1
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel