itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IPD30N06S2L23ATMA1
Gyártási szám | IPD30N06S2L23ATMA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IPD30N06S2L23ATMA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
IPD30N06S2L23ATMA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Discontinued at Future Semiconductor |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 50µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1091pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 100W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TO252-3 |
Csomag / eset | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD30N06S2L23ATMA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IPD30N06S2L23ATMA1-FT |
IPD50N06S4L12ATMA2
Infineon Technologies
IPD60R1K5CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD60R3K3C6ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R600E6
Infineon Technologies
IPD65R250E6XTMA1
Infineon Technologies
IPD78CN10NGATMA1
Infineon Technologies
IPD90P03P4L04ATMA1
Infineon Technologies
SPD02N80C3ATMA1
Infineon Technologies
SPD04N80C3ATMA1
Infineon Technologies
IPD180N10N3GBTMA1
Infineon Technologies
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel