itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IPB80N06S4L05ATMA2
Gyártási szám | IPB80N06S4L05ATMA2 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IPB80N06S4L05ATMA2 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPB80N06S4L05ATMA2 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 60µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 8180pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 107W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TO263-3-2 |
Csomag / eset | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB80N06S4L05ATMA2 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IPB80N06S4L05ATMA2-FT |
IPB60R190C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R190P6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R199CPAATMA1
Infineon Technologies
IPB60R199CPATMA1
Infineon Technologies
IPB60R230P6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R250CPATMA1
Infineon Technologies
IPB60R280C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R280P6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R299CPAATMA1
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel