itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IPB80N06S209ATMA1
Gyártási szám | IPB80N06S209ATMA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IPB80N06S209ATMA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
IPB80N06S209ATMA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Discontinued at Future Semiconductor |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 125µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2360pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 190W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TO263-3-2 |
Csomag / eset | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB80N06S209ATMA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IPB80N06S209ATMA1-FT |
IPB45N06S409ATMA1
Infineon Technologies
IPB45N06S409ATMA2
Infineon Technologies
IPB45N06S4L08ATMA1
Infineon Technologies
IPB45P03P4L11ATMA1
Infineon Technologies
IPB47N10S33ATMA1
Infineon Technologies
IPB47N10SL26ATMA1
Infineon Technologies
IPB50CN10NGATMA1
Infineon Technologies
IPB50N10S3L16ATMA1
Infineon Technologies
IPB50R140CPATMA1
Infineon Technologies
IPB50R199CPATMA1
Infineon Technologies
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel