itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IPB26CNE8N G
Gyártási szám | IPB26CNE8N G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IPB26CNE8N G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
IPB26CNE8N G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Discontinued at Future Semiconductor |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 85V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 39µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2070pF @ 40V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 71W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | D²PAK (TO-263AB) |
Csomag / eset | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB26CNE8N G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IPB26CNE8N G-FT |
IPB049N06L3GATMA1
Infineon Technologies
IPB049N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB04N03LA
Infineon Technologies
IPB04N03LA G
Infineon Technologies
IPB04N03LAT
Infineon Technologies
IPB04N03LB
Infineon Technologies
IPB04N03LB G
Infineon Technologies
IPB050N06NGATMA1
Infineon Technologies
IPB052N04NGATMA1
Infineon Technologies
IPB055N03LGATMA1
Infineon Technologies
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel