itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IPB13N03LB G
Gyártási szám | IPB13N03LB G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IPB13N03LB G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
IPB13N03LB G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1355pF @ 15V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 52W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | D²PAK (TO-263AB) |
Csomag / eset | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB13N03LB G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IPB13N03LB G-FT |
IPB031N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB031NE7N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB033N10N5LFATMA1
Infineon Technologies
IPB034N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPB037N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB038N12N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB039N04LGATMA1
Infineon Technologies
IPB03N03LA
Infineon Technologies
IPB03N03LA G
Infineon Technologies
IPB03N03LB
Infineon Technologies
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel