itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IPB12CNE8N G
Gyártási szám | IPB12CNE8N G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IPB12CNE8N G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
IPB12CNE8N G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 85V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 67A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.9 mOhm @ 67A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 4340pF @ 40V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 125W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | D²PAK (TO-263AB) |
Csomag / eset | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB12CNE8N G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IPB12CNE8N G-FT |
IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
IPB027N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB029N06N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
IPB031N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB031NE7N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB033N10N5LFATMA1
Infineon Technologies
IPB034N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPB037N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB038N12N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB039N04LGATMA1
Infineon Technologies
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel