itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IPB12CN10N G
Gyártási szám | IPB12CN10N G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IPB12CN10N G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
IPB12CN10N G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 67A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6 mOhm @ 67A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 4320pF @ 50V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 125W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | D²PAK (TO-263AB) |
Csomag / eset | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB12CN10N G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IPB12CN10N G-FT |
IPB024N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
IPB027N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB029N06N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
IPB031N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB031NE7N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB033N10N5LFATMA1
Infineon Technologies
IPB034N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPB037N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB038N12N3GATMA1
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel