itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IPB12CN10N G
Gyártási szám | IPB12CN10N G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IPB12CN10N G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
IPB12CN10N G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 67A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6 mOhm @ 67A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 4320pF @ 50V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 125W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | D²PAK (TO-263AB) |
Csomag / eset | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB12CN10N G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IPB12CN10N G-FT |
IPB024N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
IPB027N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB029N06N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
IPB031N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB031NE7N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB033N10N5LFATMA1
Infineon Technologies
IPB034N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPB037N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB038N12N3GATMA1
Infineon Technologies
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel