itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IPB039N10N3GE8187ATMA1
Gyártási szám | IPB039N10N3GE8187ATMA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IPB039N10N3GE8187ATMA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
IPB039N10N3GE8187ATMA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 160A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 160µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 8410pF @ 50V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 214W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TO263-7 |
Csomag / eset | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB039N10N3GE8187ATMA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IPB039N10N3GE8187ATMA1-FT |
IRFB7434GPBF
Infineon Technologies
IRFB7437GPBF
Infineon Technologies
IRFB7440GPBF
Infineon Technologies
IRFB7734PBF
Infineon Technologies
IRFB7740PBF
Infineon Technologies
IRFB7746PBF
Infineon Technologies
IRFB812PBF
Infineon Technologies
IRFZ34E
Infineon Technologies
IRFZ34EPBF
Infineon Technologies
IRFZ34NPBF
Infineon Technologies
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel