itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / FQP2N90
Gyártási szám | FQP2N90 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-FQP2N90 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | QFET® |
FQP2N90 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 Ohm @ 1.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 85W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-220-3 |
Csomag / eset | TO-220-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQP2N90 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | FQP2N90-FT |
FDP032N08
ON Semiconductor
NDP6020P
ON Semiconductor
FDP51N25
ON Semiconductor
FQP17P06
ON Semiconductor
FQP4N80
ON Semiconductor
FDP55N06
ON Semiconductor
FDP18N50
ON Semiconductor
FQP33N10
ON Semiconductor
FQP47P06
ON Semiconductor
FDP26N40
ON Semiconductor
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel