itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / FQI3P50TU
Gyártási szám | FQI3P50TU |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-FQI3P50TU |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | QFET® |
FQI3P50TU Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 2.7A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 Ohm @ 1.35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 3.13W (Ta), 85W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | I2PAK (TO-262) |
Csomag / eset | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQI3P50TU Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | FQI3P50TU-FT |
IRFH5110TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5110TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5206TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5206TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5207TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5207TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5210TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5210TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5250DTR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5250DTRPBF
Infineon Technologies