itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / FQD19N10TM
Gyártási szám | FQD19N10TM |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-FQD19N10TM |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | QFET® |
FQD19N10TM Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 15.6A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 7.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | D-Pak |
Csomag / eset | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD19N10TM Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | FQD19N10TM-FT |
IRLR3410PBF
Infineon Technologies
FDD86540
ON Semiconductor
FDD86367-F085
ON Semiconductor
FDD9409-F085
ON Semiconductor
FDD14AN06LA0-F085
ON Semiconductor
FDD5810-F085
ON Semiconductor
FDD86369-F085
ON Semiconductor
IRFR9024NPBF
Infineon Technologies
IXFY5N50P3
IXYS
IXFY8N65X2
IXYS
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I4
Intel
XC2V1000-5BGG575I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP3C120F780I7
Intel
EPF8452AQC160-3
Intel
5SGSMD3H2F35C1N
Intel