itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / FQD10N20LTM
Gyártási szám | FQD10N20LTM |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-FQD10N20LTM |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | QFET® |
FQD10N20LTM Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 7.6A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 2.5W (Ta), 51W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | TO-252, (D-Pak) |
Csomag / eset | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD10N20LTM Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | FQD10N20LTM-FT |
GA10JT12-247
GeneSiC Semiconductor
GA16JT17-247
GeneSiC Semiconductor
GA20JT12-247
GeneSiC Semiconductor
GA20SICP12-247
GeneSiC Semiconductor
GA50JT17-247
GeneSiC Semiconductor
GA50JT12-263
GeneSiC Semiconductor
GA10SICP12-263
GeneSiC Semiconductor
GA10JT12-263
GeneSiC Semiconductor
GA100JT17-227
GeneSiC Semiconductor
GA100JT12-227
GeneSiC Semiconductor
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel