itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / FQB4N20TM
Gyártási szám | FQB4N20TM |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-FQB4N20TM |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | QFET® |
FQB4N20TM Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 3.6A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 3.13W (Ta), 45W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | D²PAK (TO-263AB) |
Csomag / eset | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQB4N20TM Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | FQB4N20TM-FT |
FDB12N50UTM_WS
ON Semiconductor
FDB14AN06LA0
ON Semiconductor
FDB20AN06A0
ON Semiconductor
FDB24AN06LA0
ON Semiconductor
FDB2570
ON Semiconductor
FDB2670
ON Semiconductor
FDB3632_SB82115
ON Semiconductor
FDB3652
ON Semiconductor
FDB3652-F085
ON Semiconductor
FDB3672
ON Semiconductor
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel