itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / FQB3N80TM
Gyártási szám | FQB3N80TM |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-FQB3N80TM |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | QFET® |
FQB3N80TM Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 690pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | - |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | D²PAK (TO-263AB) |
Csomag / eset | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQB3N80TM Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | FQB3N80TM-FT |
FCB11N60FTM
ON Semiconductor
FCB20N60F-F085
ON Semiconductor
FDB035AN06A0-F085
ON Semiconductor
FDB039N06
ON Semiconductor
FDB075N15A_SN00284
ON Semiconductor
FDB088N08_F141
ON Semiconductor
FDB10AN06A0
ON Semiconductor
FDB12N50UTM_WS
ON Semiconductor
FDB14AN06LA0
ON Semiconductor
FDB20AN06A0
ON Semiconductor
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel