itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / FQB33N10TM
Gyártási szám | FQB33N10TM |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-FQB33N10TM |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | QFET® |
FQB33N10TM Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 16.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 3.75W (Ta), 127W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | D²PAK (TO-263AB) |
Csomag / eset | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQB33N10TM Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | FQB33N10TM-FT |
FDB9406L-F085
ON Semiconductor
FDB3632
ON Semiconductor
FQB5N90TM
ON Semiconductor
HUFA75645S3S
ON Semiconductor
FDB047N10
ON Semiconductor
FQB22P10TM
ON Semiconductor
FQB55N10TM
ON Semiconductor
FDB13AN06A0
ON Semiconductor
FDB2614
ON Semiconductor
FDB8447L
ON Semiconductor
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel