itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / FQA9N90-F109
Gyártási szám | FQA9N90-F109 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-FQA9N90-F109 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | QFET® |
FQA9N90-F109 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 8.6A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 Ohm @ 4.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 240W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-3PN |
Csomag / eset | TO-3P-3, SC-65-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQA9N90-F109 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | FQA9N90-F109-FT |
FDA24N50F
ON Semiconductor
FQA19N60
ON Semiconductor
TK62J60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
FDA8440
ON Semiconductor
FCA47N60
ON Semiconductor
FCA47N60-F109
ON Semiconductor
FCA47N60F
ON Semiconductor
TK39J60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
FQA90N15
ON Semiconductor
TK39J60W5,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel