itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / FQA90N15-F109
Gyártási szám | FQA90N15-F109 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-FQA90N15-F109 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | QFET® |
FQA90N15-F109 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 285nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 8700pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 375W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-3PN |
Csomag / eset | TO-3P-3, SC-65-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQA90N15-F109 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | FQA90N15-F109-FT |
RJK6006DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK6024DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK6025DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK6032DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK0354DSP-00#J0
Renesas Electronics America
RJK0349DSP-00#J0
Renesas Electronics America
RJK0355DSP-00#J0
Renesas Electronics America
HAT2088R-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2131R-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2197R-EL-E
Renesas Electronics America
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation