itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / FDP7N60NZ
Gyártási szám | FDP7N60NZ |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-FDP7N60NZ |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | UniFET-II™ |
FDP7N60NZ Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25 Ohm @ 3.25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 730pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 147W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-220-3 |
Csomag / eset | TO-220-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDP7N60NZ Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | FDP7N60NZ-FT |
GA100JT17-227
GeneSiC Semiconductor
GA100JT12-227
GeneSiC Semiconductor
GA05JT12-263
GeneSiC Semiconductor
GA05JT01-46
GeneSiC Semiconductor
GA05JT03-46
GeneSiC Semiconductor
2N7635-GA
GeneSiC Semiconductor
2N7637-GA
GeneSiC Semiconductor
2N7638-GA
GeneSiC Semiconductor
FQNL2N50BTA
ON Semiconductor
FQNL1N50BBU
ON Semiconductor
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel