itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / FDP12N60NZ
Gyártási szám | FDP12N60NZ |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-FDP12N60NZ |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | UniFET-II™ |
FDP12N60NZ Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1676pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 240W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-220-3 |
Csomag / eset | TO-220-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDP12N60NZ Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | FDP12N60NZ-FT |
GA100JT12-227
GeneSiC Semiconductor
GA05JT12-263
GeneSiC Semiconductor
GA05JT01-46
GeneSiC Semiconductor
GA05JT03-46
GeneSiC Semiconductor
2N7635-GA
GeneSiC Semiconductor
2N7637-GA
GeneSiC Semiconductor
2N7638-GA
GeneSiC Semiconductor
FQNL2N50BTA
ON Semiconductor
FQNL1N50BBU
ON Semiconductor
FQNL1N50BTA
ON Semiconductor
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel