itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / FDP10AN06A0
Gyártási szám | FDP10AN06A0 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-FDP10AN06A0 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | PowerTrench® |
FDP10AN06A0 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 75A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1840pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 135W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-220-3 |
Csomag / eset | TO-220-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDP10AN06A0 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | FDP10AN06A0-FT |
FCP16N60N
ON Semiconductor
FDP047N08
ON Semiconductor
FDP083N15A-F102
ON Semiconductor
FQP85N06
ON Semiconductor
HUF75332P3
ON Semiconductor
FQP17N40
ON Semiconductor
FCP650N80Z
ON Semiconductor
FCP11N60N
ON Semiconductor
FDP5800
ON Semiconductor
HUF75345P3
ON Semiconductor
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel