itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / FDP047N10
Gyártási szám | FDP047N10 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-FDP047N10 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | PowerTrench® |
FDP047N10 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 210nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 15265pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 375W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-220AB |
Csomag / eset | TO-220-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDP047N10 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | FDP047N10-FT |
FDP15N40
ON Semiconductor
FQP27P06
ON Semiconductor
FQP30N06L
ON Semiconductor
FQP2N60C
ON Semiconductor
FQP3P50
ON Semiconductor
FDP20N50
ON Semiconductor
FCP11N60F
ON Semiconductor
RFP70N06
ON Semiconductor
FQP13N10L
ON Semiconductor
FQP30N06
ON Semiconductor
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel