itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / FDP047N08-F102
Gyártási szám | FDP047N08-F102 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-FDP047N08-F102 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
FDP047N08-F102 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 164A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 Ohm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 152nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 9415pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 268W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-220-3 |
Csomag / eset | TO-220-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDP047N08-F102 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | FDP047N08-F102-FT |
N0603N-S23-AY
Renesas Electronics America
N0604N-S19-AY
Renesas Electronics America
NTMFS10N3D2C
ON Semiconductor
NTMFS10N7D2C
ON Semiconductor
RJK03M2DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
RJK03M3DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
RJK03M4DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
RJK03M5DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
RJK2075DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
RJK4002DJE-00#Z0
Renesas Electronics America
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel