itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / FDN359BN
Gyártási szám | FDN359BN |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-FDN359BN |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | PowerTrench® |
FDN359BN Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 2.7A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 2.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 15V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 500mW (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | SuperSOT-3 |
Csomag / eset | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDN359BN Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | FDN359BN-FT |
2SK1828TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SI2301A-TP
Micro Commercial Co
SI2302CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2324A-TP
Micro Commercial Co
SI2328DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ2319ADS-T1_GE3
Vishay Siliconix
2N7002H6327XTSA2
Infineon Technologies
MMBF170
ON Semiconductor
SI2300-TP
Micro Commercial Co
SI2325DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel