itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / FDG326P
Gyártási szám | FDG326P |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-FDG326P |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | PowerTrench® |
FDG326P Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 1.5A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 467pF @ 10V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 750mW (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | SC-88 (SC-70-6) |
Csomag / eset | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG326P Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | FDG326P-FT |
TK7A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7A90E,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK9A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
ZDX130N50
Rohm Semiconductor
DMN90H8D5HCT
Diodes Incorporated
DMT10H010LCT
Diodes Incorporated
DMT6009LCT
Diodes Incorporated
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel