itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / FDD3N50NZTM
Gyártási szám | FDD3N50NZTM |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-FDD3N50NZTM |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | UniFET-II™ |
FDD3N50NZTM Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 1.25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 40W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | D-Pak |
Csomag / eset | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD3N50NZTM Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | FDD3N50NZTM-FT |
FDD4685
ON Semiconductor
FDD5N60NZTM
ON Semiconductor
FDD7N60NZTM
ON Semiconductor
FDD9411L-F085
ON Semiconductor
FQD1N80TM
ON Semiconductor
IRFR4105TRPBF
Infineon Technologies
IRLR3636TRPBF
Infineon Technologies
TK33S10N1Z,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
FDD8870
ON Semiconductor
IRFR5410TRPBF
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel