itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / FDA33N25
Gyártási szám | FDA33N25 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-FDA33N25 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | UniFET™ |
FDA33N25 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 94 mOhm @ 16.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 46.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 245W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-3PN |
Csomag / eset | TO-3P-3, SC-65-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDA33N25 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | FDA33N25-FT |
RJK5002DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK5030DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK5031DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK6002DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK6006DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK6024DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK6025DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK6032DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK0354DSP-00#J0
Renesas Electronics America
RJK0349DSP-00#J0
Renesas Electronics America
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel