itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / FCH099N60E
Gyártási szám | FCH099N60E |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-FCH099N60E |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | SuperFET® II |
FCH099N60E Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 37A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 18.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 3465pF @ 380V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 357W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-247 |
Csomag / eset | TO-247-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH099N60E Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | FCH099N60E-FT |
GP1M005A050FSH
Global Power Technologies Group
GP1M006A065F
Global Power Technologies Group
GP1M006A065FH
Global Power Technologies Group
GP1M006A070F
Global Power Technologies Group
GP1M006A070FH
Global Power Technologies Group
GP1M007A090FH
Global Power Technologies Group
GP1M008A025FG
Global Power Technologies Group
GP1M008A050FG
Global Power Technologies Group
GP1M008A080FH
Global Power Technologies Group
GP1M009A020FG
Global Power Technologies Group
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel