itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / FCH041N60F
Gyártási szám | FCH041N60F |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-FCH041N60F |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | SuperFET® II |
FCH041N60F Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 76A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 38A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 360nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 14365pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 595W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-247 |
Csomag / eset | TO-247-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH041N60F Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | FCH041N60F-FT |
GP2M020A050N
Global Power Technologies Group
GP2M020A060N
Global Power Technologies Group
GP2M023A050N
Global Power Technologies Group
GP1M003A050FG
Global Power Technologies Group
GP1M003A080FH
Global Power Technologies Group
GP1M004A090FH
Global Power Technologies Group
GP1M005A050FH
Global Power Technologies Group
GP1M005A050FSH
Global Power Technologies Group
GP1M006A065F
Global Power Technologies Group
GP1M006A065FH
Global Power Technologies Group
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation