itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / FCH041N60E
Gyártási szám | FCH041N60E |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-FCH041N60E |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | SuperFET® II |
FCH041N60E Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 77A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 39A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 380nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 13700pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 592W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-247 |
Csomag / eset | TO-247-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH041N60E Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | FCH041N60E-FT |
GP2M009A090NG
Global Power Technologies Group
GP2M011A090NG
Global Power Technologies Group
GP2M012A080NG
Global Power Technologies Group
GP2M020A050N
Global Power Technologies Group
GP2M020A060N
Global Power Technologies Group
GP2M023A050N
Global Power Technologies Group
GP1M003A050FG
Global Power Technologies Group
GP1M003A080FH
Global Power Technologies Group
GP1M004A090FH
Global Power Technologies Group
GP1M005A050FH
Global Power Technologies Group
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel