itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek / EPC2105ENGRT
Gyártási szám | EPC2105ENGRT |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-EPC2105ENGRT |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | eGaN® |
EPC2105ENGRT Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET funkció | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 9.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 20A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 40V |
Teljesítmény - Max | - |
Üzemi hőmérséklet | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | Die |
Beszállítói eszközcsomag | Die |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2105ENGRT Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | EPC2105ENGRT-FT |
FF11MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
BSC150N03LDGATMA1
Infineon Technologies
BSC072N03LDGATMA1
Infineon Technologies
BSC750N10NDGATMA1
Infineon Technologies
BTS7904BATMA1
Infineon Technologies
DF23MR12W1M1B11BPSA1
Infineon Technologies
DF11MR12W1M1B11BPSA1
Infineon Technologies
DF11MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
DF23MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
FTCO3V455A1
ON Semiconductor
LAXP2-17E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
AX1000-FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FGG484I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
5SGXEA3K2F40C3
Intel
5SGXMA3K2F35C2LN
Intel
EP3SL340H1152I3N
Intel
XC5VFX30T-1FF665CES
Xilinx Inc.
XC7VX330T-2FFG1157I
Xilinx Inc.