itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Arrays, Pre-Bias / EMD12FHAT2R
Gyártási szám | EMD12FHAT2R |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-EMD12FHAT2R |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q101 |
EMD12FHAT2R Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Tranzisztor típus | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 100mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | - |
Ellenállás - alap (R1) | 47 kOhms |
Ellenállás - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | - |
Frekvencia - Átmenet | 250MHz |
Teljesítmény - Max | 150mW |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | SOT-563, SOT-666 |
Beszállítói eszközcsomag | EMT6 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMD12FHAT2R Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | EMD12FHAT2R-FT |
RN2504(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2507(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1507(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2505TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1501(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1506(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4982,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2911,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4902,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S1400AN-5FGG484C
Xilinx Inc.
A42MX36-BG272I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2N
Intel
10M16DCF256I6G
Intel
5SEEBH40I4N
Intel
EP4SGX530KH40C3N
Intel
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation