itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single, Pre-Bias / DTD513ZMGT2L
Gyártási szám | DTD513ZMGT2L |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-DTD513ZMGT2L |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
DTD513ZMGT2L Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Tranzisztor típus | NPN - Pre-Biased |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 500mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 12V |
Ellenállás - alap (R1) | 1 kOhms |
Ellenállás - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 500nA |
Frekvencia - Átmenet | 260MHz |
Teljesítmény - Max | 150mW |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | SOT-723 |
Beszállítói eszközcsomag | VMT3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTD513ZMGT2L Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | DTD513ZMGT2L-FT |
RN2102ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2102CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2103CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2104ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2104CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2105CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2106CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2107ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2107CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2108ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S50-5VQ100C
Xilinx Inc.
EP3C25F256C8
Intel
XC5VLX50T-2FFG665C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5M100C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R4F40I3SG
Intel
EP3C40F324C7
Intel