itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single, Pre-Bias / DTD513ZMGT2L
Gyártási szám | DTD513ZMGT2L |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-DTD513ZMGT2L |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
DTD513ZMGT2L Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Tranzisztor típus | NPN - Pre-Biased |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 500mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 12V |
Ellenállás - alap (R1) | 1 kOhms |
Ellenállás - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 500nA |
Frekvencia - Átmenet | 260MHz |
Teljesítmény - Max | 150mW |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | SOT-723 |
Beszállítói eszközcsomag | VMT3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTD513ZMGT2L Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | DTD513ZMGT2L-FT |
RN2102ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2102CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2103CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2104ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2104CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2105CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2106CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2107ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2107CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2108ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV600E-7FG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-5Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL600V2-FG484
Microsemi Corporation
U1AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-9FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005-4AI
Microchip Technology
5SGXEA7N3F40I4N
Intel
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC5VLX330-1FF1760C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6M132C
Lattice Semiconductor Corporation