itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single, Pre-Bias / DTC143EMFHAT2L
Gyártási szám | DTC143EMFHAT2L |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-DTC143EMFHAT2L |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q101 |
DTC143EMFHAT2L Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Tranzisztor típus | NPN - Pre-Biased + Diode |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 100mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | - |
Ellenállás - alap (R1) | 4.7 kOhms |
Ellenállás - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | - |
Frekvencia - Átmenet | 250MHz |
Teljesítmény - Max | 150mW |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | SOT-723 |
Beszállítói eszközcsomag | VMT3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC143EMFHAT2L Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | DTC143EMFHAT2L-FT |
RN1112CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1113ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1113CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2101ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2101CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2102ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2102CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2103CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2104ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2104CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S50AN-4TQG144C
Xilinx Inc.
EX128-FTQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQG100
Microsemi Corporation
EP2AGZ350FH29C4N
Intel
EP3SL340F1760I4L
Intel
5SGSMD5H2F35I3N
Intel
XC4VLX160-10FFG1148I
Xilinx Inc.
EPF10K30AQI208-3
Intel
EPF8820AQC208-3
Intel