itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single, Pre-Bias / DTC023JMT2L
Gyártási szám | DTC023JMT2L |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-DTC023JMT2L |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
DTC023JMT2L Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Tranzisztor típus | NPN - Pre-Biased |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 100mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 50V |
Ellenállás - alap (R1) | 2.2 kOhms |
Ellenállás - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | - |
Frekvencia - Átmenet | 250MHz |
Teljesítmény - Max | 150mW |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | SOT-723 |
Beszállítói eszközcsomag | VMT3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC023JMT2L Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | DTC023JMT2L-FT |
RN1104ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1104CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1105ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1105CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1106ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1106CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1107ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1107CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1108ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1108CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
EPF10K10ATC144-1
Intel
EP2C35U484C8N
Intel
10M16DCF484C7G
Intel
A40MX04-2PL44I
Microsemi Corporation
XCKU040-3SFVA784E
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34I2LG
Intel