itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single, Pre-Bias / DRA2123Y0L
Gyártási szám | DRA2123Y0L |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-DRA2123Y0L |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
DRA2123Y0L Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Tranzisztor típus | PNP - Pre-Biased |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 100mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 50V |
Ellenállás - alap (R1) | 2.2 kOhms |
Ellenállás - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 500nA |
Frekvencia - Átmenet | - |
Teljesítmény - Max | 200mW |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Beszállítói eszközcsomag | Mini3-G3-B |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA2123Y0L Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | DRA2123Y0L-FT |
PDTA124XS,126
NXP USA Inc.
PDTA143TS,126
NXP USA Inc.
PDTA143XS,126
NXP USA Inc.
PDTA143ZS,126
NXP USA Inc.
PDTA144ES,126
NXP USA Inc.
PDTA144TS,126
NXP USA Inc.
PDTA144VS,126
NXP USA Inc.
PDTA144WS,126
NXP USA Inc.
PDTB113ES,126
NXP USA Inc.
PDTB113ZS,126
NXP USA Inc.
M2GL050T-1FCSG325
Microsemi Corporation
A54SX32A-1CQ208
Microsemi Corporation
AT40K10-2CQI
Microchip Technology
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XA6SLX9-3CSG225Q
Xilinx Inc.
XC7S25-L1CSGA324I
Xilinx Inc.
AFS1500-2FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA5G4F35C4N
Intel