itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single, Pre-Bias / DRA2123E0L
Gyártási szám | DRA2123E0L |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-DRA2123E0L |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
DRA2123E0L Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Tranzisztor típus | PNP - Pre-Biased |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 100mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 50V |
Ellenállás - alap (R1) | 2.2 kOhms |
Ellenállás - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 6 @ 5mA, 10V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 500nA |
Frekvencia - Átmenet | - |
Teljesítmény - Max | 200mW |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Beszállítói eszközcsomag | Mini3-G3-B |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA2123E0L Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | DRA2123E0L-FT |
FJN4301RTA
ON Semiconductor
FJN3303RTA
ON Semiconductor
FJN3304RTA
ON Semiconductor
FJN3306RTA
ON Semiconductor
FJN3307RTA
ON Semiconductor
FJN3308RTA
ON Semiconductor
FJN3309RTA
ON Semiconductor
FJN3310RTA
ON Semiconductor
FJN3311RTA
ON Semiconductor
FJN3312RTA
ON Semiconductor
XCS30-3TQ144I
Xilinx Inc.
EX256-FTQG100
Microsemi Corporation
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144
Microsemi Corporation
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
XC6VHX565T-1FFG1924I
Xilinx Inc.
10AX066H2F34I2LG
Intel
EP4CE75F29C6N
Intel
EP4SGX230FF35I4
Intel