itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single, Pre-Bias / DRA2123E0L
Gyártási szám | DRA2123E0L |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-DRA2123E0L |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
DRA2123E0L Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Tranzisztor típus | PNP - Pre-Biased |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 100mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 50V |
Ellenállás - alap (R1) | 2.2 kOhms |
Ellenállás - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 6 @ 5mA, 10V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 500nA |
Frekvencia - Átmenet | - |
Teljesítmény - Max | 200mW |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Beszállítói eszközcsomag | Mini3-G3-B |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA2123E0L Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | DRA2123E0L-FT |
FJN4301RTA
ON Semiconductor
FJN3303RTA
ON Semiconductor
FJN3304RTA
ON Semiconductor
FJN3306RTA
ON Semiconductor
FJN3307RTA
ON Semiconductor
FJN3308RTA
ON Semiconductor
FJN3309RTA
ON Semiconductor
FJN3310RTA
ON Semiconductor
FJN3311RTA
ON Semiconductor
FJN3312RTA
ON Semiconductor
A40MX02-FVQG80
Microsemi Corporation
LFEC3E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX9-2FTG256I
Xilinx Inc.
XC3SD1800A-4FG676C
Xilinx Inc.
10M25SCE144A7G
Intel
5SGXEA3K2F35I2LN
Intel
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
XA7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
5AGXBA7D4F35I5N
Intel
EP20K200EBC356-2N
Intel