itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single, Pre-Bias / DRA2114E0L
Gyártási szám | DRA2114E0L |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-DRA2114E0L |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
DRA2114E0L Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Tranzisztor típus | PNP - Pre-Biased |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 100mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 50V |
Ellenállás - alap (R1) | 10 kOhms |
Ellenállás - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 500nA |
Frekvencia - Átmenet | - |
Teljesítmény - Max | 200mW |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Beszállítói eszközcsomag | Mini3-G3-B |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA2114E0L Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | DRA2114E0L-FT |
FJN4302RTA
ON Semiconductor
FJN4303RTA
ON Semiconductor
FJN4305RTA
ON Semiconductor
FJN3302RTA
ON Semiconductor
FJN3305RTA
ON Semiconductor
FJN4309RTA
ON Semiconductor
FJN4301RTA
ON Semiconductor
FJN3303RTA
ON Semiconductor
FJN3304RTA
ON Semiconductor
FJN3306RTA
ON Semiconductor
LCMXO2-7000HE-4TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30ATC144-1N
Intel
5CGXFC4C6F27I7N
Intel
EP3SE260F1517C2
Intel
EP2AGX65DF25C6N
Intel
5SGXMB5R3F43C2N
Intel
5SGXMA5K3F35C2LN
Intel
XC6VLX240T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation