itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / DMG3N60SJ3
Gyártási szám | DMG3N60SJ3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-DMG3N60SJ3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q101 |
DMG3N60SJ3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 12.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 354pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 41W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-251 |
Csomag / eset | TO-251-3, IPak, Short Leads |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG3N60SJ3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | DMG3N60SJ3-FT |
BSC022N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
BSC027N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC050N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC059N03ST
Infineon Technologies
BSC059N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
BSC065N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC0702LSATMA1
Infineon Technologies
BSC094N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC0996NSATMA1
Infineon Technologies
BSC220N20NSFDATMA1
Infineon Technologies
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel