itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - IGBT - modulok / BYM300B170DN2HOSA1
Gyártási szám | BYM300B170DN2HOSA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-BYM300B170DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
BYM300B170DN2HOSA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Not For New Designs |
IGBT típus | Trench Field Stop |
Configuration | 2 Independent |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 650V |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 40A |
Teljesítmény - Max | 20mW |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.55V @ 15V, 25A |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 40µA |
Bemeneti kapacitás (Cies) @ Vce | 2.8nF @ 25V |
Bemenet | Standard |
NTC termisztor | Yes |
Üzemi hőmérséklet | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Chassis Mount |
Csomag / eset | Module |
Beszállítói eszközcsomag | Module |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM300B170DN2HOSA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | BYM300B170DN2HOSA1-FT |
APTGT75DH60TG
Microsemi Corporation
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK60T1G
Microsemi Corporation
APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation
APTGV100H60BTPG
Microsemi Corporation
APTGV100H60T3G
Microsemi Corporation
APTGV15H120T3G
Microsemi Corporation
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
10M50DAF484I6G
Intel
EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel