itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Diodok - egyenirányítók - egyszemélyes / BYM12-200HE3_A/I
Gyártási szám | BYM12-200HE3_A/I |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-BYM12-200HE3_A/I |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
BYM12-200HE3_A/I Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Dióda típusa | Standard |
Feszültség - DC fordított (Vr) (max.) | 200V |
Aktuális - Átlagos korrigált (Io) | 1A |
Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Sebesség | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Fordított helyreállítási idő (trr) | 50ns |
Aktuális - Fordított szivárgás @ Vr | 5µA @ 200V |
Kapacitás @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | DO-213AB, MELF (Glass) |
Beszállítói eszközcsomag | DO-213AB |
Működési hőmérséklet - csatlakozás | -65°C ~ 175°C |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM12-200HE3_A/I Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | BYM12-200HE3_A/I-FT |
BYG20DHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20GHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20GHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20JHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20JHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel