itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Diodok - egyenirányítók - egyszemélyes / BYM11-800HE3_A/I
Gyártási szám | BYM11-800HE3_A/I |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-BYM11-800HE3_A/I |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
BYM11-800HE3_A/I Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Dióda típusa | Standard |
Feszültség - DC fordított (Vr) (max.) | 800V |
Aktuális - Átlagos korrigált (Io) | 1A |
Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Sebesség | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Fordított helyreállítási idő (trr) | 500ns |
Aktuális - Fordított szivárgás @ Vr | 5µA @ 800V |
Kapacitás @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | DO-213AB, MELF (Glass) |
Beszállítói eszközcsomag | DO-213AB |
Működési hőmérséklet - csatlakozás | -65°C ~ 175°C |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM11-800HE3_A/I Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | BYM11-800HE3_A/I-FT |
BYG10MHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10MHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10MHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20DHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20GHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K50STC144-1
Intel
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1PQ208M
Microsemi Corporation
MPF100TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10-2EQI
Microchip Technology
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel