itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / BSZ0901NSATMA1
Gyártási szám | BSZ0901NSATMA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-BSZ0901NSATMA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
BSZ0901NSATMA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta), 40A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2850pF @ 15V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 2.1W (Ta), 50W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TSDSON-8 |
Csomag / eset | 8-PowerTDFN |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ0901NSATMA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | BSZ0901NSATMA1-FT |
BSC037N025S G
Infineon Technologies
BSC037N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC040N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC042N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC042N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC042N03S G
Infineon Technologies
BSC042N03ST
Infineon Technologies
BSC042NE7NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC046N02KSGAUMA1
Infineon Technologies
BSC046N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel